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非易失性半导体存储器的相变机制 - 通信-网络 - 免费猫

发布时间:2020-02-17 13:57:42 阅读: 来源:羊肉切片机厂家

非易失性半导体存储器的相变机制 - 通信/网络 - 电子工程网

存储单元小和制造工艺可以升级是让人们看好PCM的第二大理由。相变物理性质显示制程有望升级到5 nm节点以下,有可能把闪存确立的成本降低和密度提高的速度延续到下一个十年期。

采用一项标准CMOS技术整合PCM概念、存储单元结构及阵列和芯片测试载具的方案已通过广泛的评估和论证。128 Mb高密度相变存储器原型经过90 nm制程论证,测试表明性能和可靠性良好。根据目前已取得的制程整合结果和对PCM整合细节理解水平,下一个开发阶段将是采用升级技术制造千兆位(Gbit)级别的PCM存储器。

【参考文献】

1. G.Atwood and R.Bez, “Current status of chalcogenide phase-change memory”, Device Research Conference (DRC), Santa Barbara (CA), June 20-22, 2005.

2. R.Bez and G.Atwood, “Chalcogenide Phase Change Memory: Scalable NVM for the Next Decade?” 21st IEEE Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop, p.12, Monterey (Ca), 2006.

3. F.Pellizzer, A.Benvenuti, B.Gleixner, Y.Kim, B.Johmson, M.Magistretti, T.Marangon, A.Pirovano, R.Bez, G.Atwood, A 90nm Phase-Change Memory Technology for Stand-Alone Non-Volatile Memory Applications, Symp. on VLSI Tech., pp. 122-123, 2006.

4. A.Pirovano, F.Pellizzer, I.Tortorelli, R.Harrigan, M.Magistretti, P.Petruzza, E.Varesi, D.Erbetta, T.Marangon, F.Bedeschi, R.Fackenthal, G.Atwood and R.Bez, Self-Aligned Trench Phase-Change Memory Cell Architecture for 90nm Technology and Beyond, Proc. ESSDERC 07, pp. 222-225, 2007.

5. J.E.Brewer, G.Atwood, R.Bez, Phase change memories in Nonvolatile Memory Technologies with Emphasis on Flash edited by J.E.Brewer and M.Gill, IEEE Press Series on Microelectronics Systems, Wiley-Interscience,pag.707-728, 2007.

6. R.Bez, R.J.Gleixner, F.Pellizzer, A.Pirovano, G.Atwood “Phase Change Memory Cell Concepts and Designs” in Phase Change Materials – Science and Applications edited by S.Roux and M.Wuttig, Springer Verlag,ISBN: 978-0-387-84873-0 e-ISBN: 978-0-387-84874-7, pag.355-380, 2008.

作者:恒忆研发中心技术开发部研究员Roberto Bez

Roberto于1987年加入意法半导体。在任职于ST的20年间,他服务于多个非易失性存储技术部门,重点研究领域是NOR闪存、NAND闪存及相变存储(PCM)。Roberto拥有超过25项专利,所著文章曾发表在100多种刊物上。Roberto毕业于米兰大学(University of Milan),获得物理学学士学位。

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